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采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯，质谱和Ｘ射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以Ｃ５９Ｂ和Ｃ６９Ｂ形式存在；对硼掺杂富勒烯薄膜样品在４９３Ｋ 进行了真空退火，并测量了电导率随温度的变化关系．发现硼掺杂富勒烯膜的电导激活能减小，室温电导率比未掺杂富勒烯膜高三个量级，同时硼掺杂富勒烯膜依然表现出明显的半导体特性
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Source ：
半导体学报
Year： 1999
Issue： 10
Page： 846-850
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