Abstract：
主要介绍了研究所近２０ 年来在新型薄膜半导体材料的制备、结构及特性研究方面所取得的成就，尤其是对非晶硅碳和非晶硅锗（ ａ Ｓｉ Ｃ∶ Ｈ 和ａ Ｓｉ Ｇｅ∶ Ｈ）薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼（ ｃ Ｂ Ｎ）薄膜、β Ｃ３ Ｎ４ 薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果，不少工作已达到国际先进水平，发表论文３００ 余篇
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Source ：
兰州大学学报
Year： 1999
Issue： 03
Page： 22-26
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