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对硫掺杂Ｃ６０薄膜样品在４３３Ｋ进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后Ｃ６０薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度的变化曲线在３６８Ｋ到３８８Ｋ的范围内，存在一个电导率与温度的关系不严格遵循指数规律的过渡区，在过渡区的两侧硫掺杂的Ｃ６０薄膜则表现出明显的半导体特性，这是由于在不同温度范围内样品中硫分子的结构相变所引起的
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Source ：
物理学报
Year： 1997
Issue： 06
Page： 144-148
Cited Count：
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