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报道了a—Si:H的光吸收系数计量模式对少子扩散长度SPV法测量结果的影响。得出了a-Si:H表面存在氧化层的结论,并导出了一个与实际情况较符合的吸收系数α的计量模型。实验证明这个新模型对a-Si:H/snO_2/Glass样品的实际测量结果与理论符合得很好。
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Source ：
太阳能学报
Year： 1992
Issue： 04
Page： 363-366
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