Abstract：
＜正＞ 一、前言 半导体器件对周围环境具有高度灵敏性,过去大多数工作致力于降低这种敏感性以提高半导体器件的可靠性。近些年来,也开始研究利用这种敏感性。其中一个重要成果是用钯作栅金属的N沟金属——氧化物——半导体场效应晶体管(以下简称Pd—MOSFET)。这种晶体管的开启电压随器件周围气氛中氢气的浓度而变化,可以用来检测气体中的氢气含量。这种检测方法具有灵敏度高、快速、定量、选择
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
传感器技术
Year： 1984
Issue： S1
Page： 86-93
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
