• Complex
  • Title
  • Keyword
  • Abstract
  • Scholars
  • Journal
  • ISSN
  • Conference
搜索

Author:

高光渤 (高光渤.)

Abstract:

<正> 引言 各种功率半导体器件,包括功率二极管、功率晶体管以及可控硅整流器,都需要进行老炼。老炼已成为筛选的一个必要手段。由于对器件的可靠性要求等级不同,老炼的时间也不同。例如:美国军标MIL—S—750,规定为168小时,美国宇航局定为240小时,通讯卫星上的器件定为2000小时。老炼时所加的功率,由器件的壳温以及结温决定。在国内,一般额定功率下,相应的壳温为75℃±5℃,对于锗器件结温为85~125℃,对于硅器件结温

Keyword:

功率晶体管 功率半导体器件 峰值结温 筛选技术

Author Community:

  • [ 1 ] 北京工业大学

Reprint Author's Address:

Email:

Show more details

Related Keywords:

Related Article:

Source :

节能技术

Year: 1984

Issue: 02

Page: 2-4

Cited Count:

WoS CC Cited Count: 0

SCOPUS Cited Count:

ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All

WanFang Cited Count:

Chinese Cited Count:

30 Days PV: 0

Affiliated Colleges:

Online/Total:342/5275955
Address:BJUT Library(100 Pingleyuan,Chaoyang District,Beijing 100124, China Post Code:100124) Contact Us:010-67392185
Copyright:BJUT Library Technical Support:Beijing Aegean Software Co., Ltd.