Abstract：
本文提出一种提高晶体管发射区条长有效率的简单而有效的技术——自对准铂硅栅格电极结构。其特点是制造简单、通用性强、在不增加生产工艺难度的情况下就能够显著地提高晶体管的最大输出功率和功率增益。经在3DA200系列超高频中功率晶体管制造中进行试验,在不改变原生产用的版图和工艺的情况下,只在制造过程的中间加入制造铂硅栅格电极这步工艺就能把最大输出功率和额定功率下的功率增益提高为原来的1.5～2倍。同时本文也给出了发射区条长有效率的简明理论分析,所得公式和图表可以用来简单直接地计算出发射区条长有效率,从而根据有效率的改善来决定应取的铂硅栅格的薄层电阻率。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体技术
Year： 1981
Issue： 04
Page： 1-6
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
