本文研究了p+/n、p/n+、n+/p和n/p+不同结构的0.524　eV　GeSn单结太阳电池的特性,探究了太阳电池的转化效率与发射区和基区厚度之间的关系.结果　表明,p+/n、p/n+、n+/p和n/p+不同结构下均存在最优的转化效率,分别为21.6％、18.55％、21.2％和18.7％,对应的发射区/基区厚度分别为0.1/20　μm、0.6/12　μm、0.04/20μm和0.6/14μm.由于p+/n和n+/p结构中发射区为重掺杂(1019　cm-3),导致其最优效率所对应的发射区厚度比较薄,分别为O.1μm和0.04μm.对于p/n+和n/p+结构的最优效率大致相同,且发射区,基区厚度也相差不大,说明这两种结构性能比较接近.但p/n+和n/p+结构的次最优效率下的基区厚度分别3/2　μm.从成本角度考虑,次最优效率下p/n+和n/p+的结构更具有实际意义.发射区重掺杂(1019cm-3)结构下的最优效率高于轻掺杂(1017　cm-3)结构.这将对实验上制备最优结构的单结太阳电池具有一定的指导意义.