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马海鑫 (马海鑫.) | 丁广玉 (丁广玉.) | 邢艳辉 (邢艳辉.) | 韩军 (韩军.) | 张尧 (张尧.) | 崔博垚 (崔博垚.) | 林文魁 (林文魁.) | 尹浩田 (尹浩田.) | 黄兴杰 (黄兴杰.)

Abstract:

利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2 O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2):v(O2)=1:1(体积比)、空气和N2)及退火时间对Ga2O3薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响.研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N2比例增加有利于Ga2 O3重结晶.在N2气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga2 O3.而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加.另外实验样品在400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭.采用N2气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga2 O3更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga2 O3重结晶.

Keyword:

等离子增强原子层沉积 退火条件 氧化镓 光学性质 晶体结构 表面形貌

Author Community:

  • [ 1 ] [马海鑫]北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123
  • [ 2 ] [丁广玉]北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124
  • [ 3 ] [邢艳辉]北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124
  • [ 4 ] [韩军]北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124
  • [ 5 ] [张尧]北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124
  • [ 6 ] [崔博垚]北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124
  • [ 7 ] [林文魁]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123
  • [ 8 ] [尹浩田]北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124
  • [ 9 ] [黄兴杰]北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124

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Source :

人工晶体学报

ISSN: 1000-985X

Year: 2021

Issue: 5

Volume: 50

Page: 838-844

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