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利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN：Mg薄膜,对不同二茂镁（CP2Mg）流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔（Ⅴ/Ⅲ）比生长的p型GaN：Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN（002）面峰值半高宽（FWHM）最窄为232＂。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。
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光电子．激光
ISSN： 1005-0086
Year： 2012
Issue： 4
Volume： 23
Page： 708-711
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