Abstract：
SiC可以作为基底直接在表面制备出具有优良特性的新型碳材料，包括碳纳米管，石墨烯。这个过程大多在超高真空腔(P＜10-9 Torr)、高真空腔或气氛中，通过加热[1]的方法使SiC发生断键，硅原子蒸发并溢出材料表面，剩下的碳原子根据不同条件在SiC表面重新成键，成不同的碳材料。本文采用紫外激光(波长为248 nm)，在大气环境下对6H-SiC晶体进行辐照实验，并采用Raman光谱、透射电镜(TEM)对辐照前后样品表面进行表征分析。
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Year： 2016
Page： 1-1
Language： Chinese
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