Abstract：
随着全球气候变暖以及大气污染等问题的日益严重,新能源技术的发展已迫在眉睫。太阳能以其清洁性、可持续性以及潜在的经济性而受到广泛关注,太阳能电池的开发如今已发展到第三代[1],GaAs作为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的典型代表,由于具有直接带隙的能带结构、光吸收系数大等特点成为一种理想的太阳能电池材料。而微纳米结构的太阳能电池由于具有光陷阱效应,表现出了相较于常规太阳能电池更高的光吸收效率[2]。因此,开展微纳米结构的GaAs光与电转换特性的研究,具有重要的意义。
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Year： 2016
Page： 1-2
Language： Chinese
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