Abstract：
采用脉冲直流磁控溅射方法在Si(100)衬底上制备了 ScAlN薄膜.以溅射的ScAlN作为缓冲层,在Si(100)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术外延了 GaN薄膜.使用高分辨X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱研究了 ScAlN缓冲层的厚度对ScAlN缓冲层和GaN外延层的影响.研究结果表明,ScAlN缓冲层的厚度是影响GaN薄膜晶体质量的重要因素.随着ScAlN厚度的增加,ScAlN的(002)面X射线衍射摇摆曲线半高宽持续减小,GaN的(002)面X射线衍射摇摆曲线半高宽先减小后增大.当ScAlN缓冲层厚度为500 nm时,得到的GaN晶体质量最好,其中GaN(002)面的X射线衍射摇摆曲线半高宽为0.38°,由拉曼光谱计算得到的张应力为398.38 MPa.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2022
Issue： 3
Volume： 43
Page： 517-521
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
