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一种制备β‑Ga2O3微米带的方法涉及半导体材料和光学技术领域。其以Ga2O3粉末和石墨粉为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的圆柱形料棒；将圆柱形料棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤钨灯输出功率为720W/h，通入氧气，光照一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备β‑Ga2O3微米带，该微米带尺寸较大，形貌完整，可有效构建光电器件。加快了氧化镓的一维微纳结构生长的时间，节约了能源，降低了生产成本。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202210859639.X
Filing Date： 2022-07-21
Publication Date： 2023-06-23
Pub. No.： CN115321584B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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