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Abstract：
一种具有半超结结构的快恢复二极管涉及功率半导体技术领域。本发明采用掺杂不同的三层外延层，从上至下分为第一外延层，第二外延层和第三外延层，所述第一外延层采用低掺杂，位于P型区域之下，所述第二外延层采用高掺杂，位于第一外延层及第三外延层之间，所述第三外延层采用低掺杂，位于衬底层之上。本发明所述的结构可以有效降低反向击穿电压对对P型注入区掺杂浓度的敏感性，从而扩大了P型注入区的工艺窗口，同时增大了器件的反向击穿电压。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202211106567.8
Filing Date： 2022-09-12
Publication Date： 2023-06-13
Pub. No.： CN116259670A
Applicants： 北京工业大学;;阜新嘉隆电子有限公司
Legal Status： 实质审查
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