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本发明公开了一种Si基双面三结太阳能电池及其制备方法，包括：N型Si衬底；N型Si衬底的上下表面分别掺杂形成p+‑Si层和n+‑Si层；p+‑Si层上依次形成有GaAs缓冲层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结和GaInP子电池，GaInP子电池上形成有减反射膜、欧姆接触层和正面电极；n+‑Si层上形成有减反射膜、欧姆接触层和背面电极。本发明的电池结构集成双面吸收光能和GaAs多结太阳能结构的优势，可最大程度地发挥三结电池的能力，提高太阳能电池的光电转化效率。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202111228285.0
Filing Date： 2021-10-21
Publication Date： 2022-01-11
Pub. No.： CN113921642A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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