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功率半导体器件安全工作区精确测量方法涉及半导体器件安全工作区的测量。本发明通过一定的控制方法，使器件在不同的热、电条件下处于稳定状态，利用激光诱导的方式引入热斑，通过观察激光撤掉后的电学参数变化，找到临界点，在热斑即将产生时刻保护被测器件不至于毁损，并记录此时刻的电流、电压、温度数据，此即为安全工作区曲线上的一点，通过改变外部条件，可以逐点描绘出器件产生“热斑”的条件轨迹，此曲线即为安全工作区曲线。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201910489548.X
Filing Date： 2019-06-06
Publication Date： 2021-11-26
Pub. No.： CN110221190B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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