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本发明涉及MOS管结构技术领域，尤其涉及一种具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构，包括沟道二极管多晶硅、MOSFET栅极多晶硅及对称设置的第一栅氧化层与第二栅氧化层，所述沟道二极管多晶硅设置在第一栅氧化层内，所述MOSFET栅极多晶硅设置在第二栅氧化层内，所述沟道二极管多晶硅朝向MOSFET栅极多晶硅所对应的第一栅氧化层的厚度D1小于MOSFET栅极多晶硅朝向沟道二极管多晶硅所对应的第二栅氧化层的厚度D2。本发明的具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构具有较小的反向开启电压，优化了反向电流震荡的问题，有利于解决目前SGTMOS技术的反向恢复能力较弱的技术问题，同时提升了产品的效率性，相较于并联体外二极管的方式，也降低了电路的复杂程度及生产成本。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202110469803.1
Filing Date： 2021-04-28
Publication Date： 2021-07-30
Pub. No.： CN113193042A
Applicants： 北京工业大学;;深圳吉华微特电子有限公司
Legal Status： 驳回
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