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一种增强ECR等离子体源性能的方法，属于低温等离子体源应用领域。现有ECR的共振区中，空间电子的原始来源是少量游离电子，形成等离子体放电时其电子来源于气体电离产生的电子，平衡时其电子密度有限，限制了等离子体参数的提高。在现有ECR等离子体源基础上，该方法利用热阴极(5)产生大量热电子，并在穿过共振区的电场控制下进入共振空间，从而提高了共振区的电子密度。由于共振区的电子密度提高，将进一步增强ECR电离效率，提高ECR等离子体源的束流密度等性能指标。
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Type： 发明申请
Patent No.： WOCN19121583
Filing Date： 2019-11-28
Publication Date： 2020-08-06
Pub. No.： WO2020155827A1
Applicants： Beijing University Of Technology
Legal Status： 未进入国家阶段-PCT有效期满
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