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一种全色微型LED阵列垂直外延制备方法，属于半导体技术领域。所述的全色微型LED阵列包括一导电衬底、红光发光单元、堆栈式蓝绿光发光单元、微隔离结构、p侧电极引线区、电流注入区。采用MOCVD外延技术与芯片刻蚀技术相结合的方式，在同一外延衬底上外延红光发光单元(630nm)、绿光发光单元(520nm)、蓝光发光单元(450nm)三种发光单元，再利用芯片刻蚀技术形成高集成度的微小二维矩阵，且每个发光单元的尺寸可能在保证器件性能的前提下尽可能缩小，从而有效解决目前LED显示屏中单颗发光单元尺寸较大，无法高度集成装配，导致的屏幕分辨率较低的难题。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201711228628.7
Filing Date： 2017-11-29
Publication Date： 2019-09-03
Pub. No.： CN107946417B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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