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本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201611166493.1
Filing Date： 2016-12-16
Publication Date： 2019-06-14
Pub. No.： CN106637116B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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