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一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源，涉及模拟集成电路设计领域。本发明主要针对现有基准源温漂和电源抑制比问题，提出了综合解决办法。其包括独立电流源电路、偏置电路、带隙核心电路和PSRR增强支路；独立电流源电路用于产生与电源电压基本无关的电流供电，偏置电路产生用于带隙核心电路中运放的偏置电压，带隙核心电路利用温度补偿得到基准电压，电源抑制比增强支路提供带隙核心电路的栅极偏置电压提高电源抑制比。本发明得到的有益效果是：大大降低了带隙基准的温度系数，提高了电源抑制比。适用于射频识别电源管理模块。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201610425611.X
Filing Date： 2016-06-15
Publication Date： 2017-07-21
Pub. No.： CN106125811B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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