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本发明提供了一种生长GzO(ZnO : Ga)单晶的方法，涉及晶体生长技术领域。 该方法可包括以下步骤 : 首先，制备致密、均匀的单相多晶棒； 其次，优化助熔剂的组成和配比； 最后，优化了GZO行溶剂浮区法生长GZO晶体的工艺参数，如生长功率、生长速率和旋转速度等。本发明生长的GZO晶体结晶质量高，生长方向一致，电学性能优异。
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Type： 发明授权
Patent No.： US14780444
Filing Date： 2014-12-31
Publication Date： 2016-10-04
Pub. No.： US9458553B2
Applicants： Beijing University Of Technology
Legal Status： 授权
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