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一种生长GZO(ZnO : Ga)晶体的方法，属于晶体生长技术领域。首先要制备出致密、均匀、单相优质料棒，其次是优化出助熔剂成分及配比，再次是得出移动助熔剂光学浮区法生长该系列单晶的生长功率、生长速度、料棒和籽晶转速等最佳工艺参数。本发明得到的晶体结晶质量高，生长方向固定，电学性质优异。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201410532380.3
Filing Date： 2014-10-10
Publication Date： 2016-08-03
Pub. No.： CN104313690B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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