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一种大面积表面增强拉曼光谱单晶硅基底的快速制备方法，属于SERS衬底制备领域。本发明在单晶硅表面覆盖周期密排的微球阵列；采用激光扫描或辐照后去除表面残留的微球；然后浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中，水浴温度70-80℃环境中，腐蚀10-30s，取出使用去离子水清洗，得到具有微结构阵列的单晶硅片，水溶液中，氢氧化钠的质量百分比为5％-10％，乙醇的质量百分比为8％-10％；利用磁控溅射在刻蚀后的单晶硅表面进行银薄膜沉积，沉积厚度为50-200nm。本发明能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的微结构阵列，通过对微结构阵列形貌尺寸特征及银膜厚度的控制，可以对SERS衬底的性能进行调控。同时，该方法重现性高，成本较低，所制备出的SERS衬底性能稳定，可重复利用。
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Type： 发明申请
Patent No.： WOCN15084989
Filing Date： 2015-07-24
Publication Date： 2016-02-04
Pub. No.： WO2016015599A1
Applicants： Beijing University Of Technology
Legal Status： 未进入国家阶段-PCT有效期满
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