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本发明属于电子器件测试领域，公开了一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法。首先测出待测半导体器件的电压-温度系数曲线，绘制其热阻微分结构函数曲线，进而求出其内部热阻Rth0。然后，测量不同压力F下半导体器件到接触材料的热阻Rth1、Rth2、…、Rthn，进行函数拟合得到Rth-F曲线，并由此求出接触材料的热阻RT。最后由R=Rth-Rth0-RT求出不同压力下半导体器件与接触材料之间的接触热阻。本发明利用压力影响接触热阻的方法，不仅解决了瞬态光热法中光相位受影响及热阻测量受半导体器件内部结构影响的问题，还可以在不损伤半导体器件的条件下准确测出压力与接触热阻的关系。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201310174157.1
Filing Date： 2013-05-13
Publication Date： 2015-07-22
Pub. No.： CN103245694B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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