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一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1-xNb2O6化学计量比进行配料，其中x＝0.22、0.25、0.28、0.32或0.35，球磨烘干、200目过筛；预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将素坯棒在提拉旋转烧结炉中烧结得到致密均匀多晶料棒；将多晶料棒置于浮区炉中，以60～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为2～5mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为6～8mm、长50～115mm无宏观缺陷的CaxBa1-xNb2O6晶体，成晶质量高，简化了工艺，效率高。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201110308500.8
Filing Date： 2011-10-12
Publication Date： 2013-10-23
Pub. No.： CN102358954B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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