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一种高压发光二极管，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、第一接触层、有源区、第二接触层、隔离槽、绝缘保护层、缓冲层、衬底组成的LED结构。其采用外延生长法得到绝缘保护层；采用ICP干法刻蚀第一接触层，直至绝缘保护层，形成隔离槽，将LED独立绝缘开来；最后溅射金属进行串联，形成发光二极管阵列。本发明取代原有的刻蚀至衬底的方法，大大降低了隔离槽的深度，解决了绝缘保护层良好包覆在隔离槽侧壁的问题，使器件的制备不必采用深刻蚀工艺。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201210397580.3
Filing Date： 2012-10-18
Publication Date： 2013-02-06
Pub. No.： CN102916029A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回
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