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本发明公开了一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其关键是在现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池材料体系之上增加具有高禁带宽度的AlPSb材料次顶电池和更高禁带宽度的ZnSSe材料顶电池。AlPSb材料次顶电池和ZnSSe材料顶电池附加到现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池芯片之上能够扩展太阳能电池芯片的吸收谱范围，有效解决现有太阳能电池芯片对太阳辐射分布于可见光及紫外波段的大量能流无法充分吸收的问题，提高多结太阳能电池的光电转换效率。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201010260142.3
Filing Date： 2010-08-23
Publication Date： 2012-11-21
Pub. No.： CN101976691B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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