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一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源，原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，以190～350w/cm2的低功率密度在30～185s时间内对Ta2O5基陶瓷坯体进行激光辐照预热，激光扫描速率为0～33mm/s；预热结束后，调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850～1405w/cm2，进行烧结，激光扫描速率为0～50mm/s；经过25～95s的烧结后，激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN03148245.7
Filing Date： 2003-07-04
Publication Date： 2005-05-04
Pub. No.： CN1199910C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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