陷阱效应是影响GaN基HEMT器件性能的主要因素之一.为了提高陷阱表征的精度和时间分辨率,采用瞬态电压法并搭建了专用的测试平台对陷阱进行表征,抑制了电压漂移现象,将时间分辨率从毫秒级提升至微秒级,扩大了陷阱的表征范围,同时基于贝叶斯反卷积算法提取陷阱的时间常数等信息.基于这种方法研究了GaN基HEMT中陷阱在不同电压和温度下的捕获行为,表征其时间常数和激活能等信息.实验结果表明,该器件中存在4　种不同类型的陷阱,除了先前已经在B1505上证明的激活能分别为0.058、0.041　eV的陷阱DP2　和DP3,本文还发现了位于微秒级的新陷阱DP1,激活能为0.063　eV.本文通过搭建测试平台填补了微秒级陷阱表征的空缺,为陷阱的准确、快速表征提供了极大便利.