Preferred　(002)-oriented　aluminium　nitride　(AlN)　films　by　direct-current　(DC)　magnetron　sputtering　on　Si　(100)　substrate　were　prepared　at　various　deposition　pressure　(0.12-0.5　Pa).　The　influence　of　pressure　on　the　surface　morphology,　crystal　structure　and　optical　properties　of　AlN　thin　films　was　discussed　the　with　the　methods　of　X-ray　diffraction,　atomic　force　microscopy　and　stress　analyser,　respectively.　Optical　properties　were　studied　by　ellipsometer　and　Fourier　transform　infrared　spectrometer.　It　was　observed　that　the　AlN　films　tended　to　be　preferred　(002)-oriented　when　the　pressure　was　decreased　and　the　value　of　full　width　at　half　maximum　is　0.325　degrees　when　the　pressure　was　kept　at　0.12　Pa.　the　tensile　stress,　refractive　index,　and　the　density　of　Al-N　bonds　decreased　with　increasing　the　sputtering　pressure　from　0.12　to　0.5　Pa.　This　work　demonstrated　the　influence　of　sputtering　pressure　on　the　structural　and　optical　properties　of　the　AlN　films　deposited　on　Si　(100)　substrate,　the　gallium　nitride　epitaxial　film　on　Si　(100)　substrate　was　expected　to　be　realised　using　sputtered　AlN　as　the　buffer　layer.