Carbon　nitride　(CNx)　thin　films　have　been　synthesized　by　hot　filament　assisted　r.f.　plasma-enhanced　chemical　vapor　deposition　with　negative　bias　methods　on　Si　(100)　substrates.　The　influences　on　the　thin　film　structure　and　hardness　characteristics　of　r.f.　power　and　substrate　negative　bias　have　been　emphatically　investigated.　The　optimal　preparation　parameters　have　been　summarized　as　follows:　r.f.　power　of　200W,　substrate　negative　bias　of　-200V,　substrate　temperature　of　about　600°C,　total　reactive　gas　pressure　of　about　110Pa,　flow　ratio　of　CH4　to　N2　of　1:　5.5.