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本发明公开了一种单分子层表面改性的InGaAs纳米线光电探测器及制备方法，该光电探测器的结构从下至上依次是：表面有SiO2氧化层的掺硼p型硅片作为器件的衬底；单分子层表面改性处理的InGaAs纳米线作为器件的光吸收和电子传输沟道；纳米线两侧镍电极连接外部电源。在器件的制备过程中通过简单的单分子层表面改性处理来提高对纳米线表面态的操控能力，该方法可以有效调节纳米线的电子转移性能，提高InGaAs纳米线光电探测器的光电性能和稳定性，有助于获得高响应率、高稳定性的InGaAs纳米线探测器。其制备工艺成熟、简单、可重复，在光电器件、探测器和柔性器件领域具有广阔的应用前景。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202111567328.8
Filing Date： 2021-12-20
Publication Date： 2022-03-25
Pub. No.： CN114242816A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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