Abstract ：

本发明涉及一种共振隧穿铁电隧道结。一种共振隧穿铁电隧道结，包括依次堆叠的：下电极、第一铁电层、绝缘层、第二铁电层和上电极；其中，所述第一铁电层和所述第二铁电层的厚度不同；所述绝缘层的势垒高度既低于所述第一铁电层的势垒高度，又低于所述第二铁电层的势垒高度。本发明具有非对称的三势垒结构，并且为势垒‑势阱‑势垒结构，从而引入了共振隧穿效应，有效地提高了开态电流，同时提高隧穿电阻比值，解决了现有技术中开态电流和隧穿电阻比值不能兼顾的问题。

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，涉及微电子异质结光电探测器件应用领域。采用机械剥离的方法剥离二维金属材料(Fe3GeTe2、Graphene)，叠层过渡族金属硫化物WSe2，形成Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结。在此结构中不同范德华金属电极与沟道材料WSe2的接触长度存在差异，形成非对称的几何接触形状，获得不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场，产生自驱动电流。此光电探测器具有结构简单、暗电流几乎为零、响应度高、响应速率快、灵敏度高等特点。Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用。

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

二维半导体材料如石墨烯、黑磷、过渡族金属硫化物,因其尺寸小、易集成、光电性能优良等优点,是现阶段微型化光电器件的良好沟道材料.但材料存在不利于实际应用的一些缺点,如石墨烯的"零带隙"、黑磷的易降解、过渡族金属硫化物本征迁移率低.加之在器件制作过程中需要调节势垒高度,因此通过掺杂来对二维半导体材料进行调节极为必要.掺杂是通过引入杂质原子,达到调节半导体材料的载流子类型和浓度、带隙、稳定性等目的.对二维光电器件材料的主要掺杂方法、掺杂对材料微观结构和性能产生的影响进行了综述,根据掺杂原子的占位情况分为位于原材料晶格中和表面两大类进行讨论.在两大类中,介绍了多种掺杂方法,包括气相输运法、离子注入法、表面沉积法和化学旋涂法,并讨论了每种方法的优点和局限性.

Keyword ：

光电性能 半导体材料 纳米材料 光电器件 二维材料 掺杂

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

本发明涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种累积型MOS沟道二极管结构，包括阴极金属、阳极金属、N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅组，所述N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅设置在阴极金属与阳极金属之间，所述N型衬底一端与阴极金属接触，另一端与N型外延层的一端接触，N型外延层的另一端部分与P区接触，N型源区设置在阳极金属、P区及槽栅组之间并分别与部分阳极金属、部分P区及部分槽栅组接触，部分所述槽栅组及部分P区分别与部分阳极金属接触。本发明的累积型MOS沟道二极管结构通过P区、N型源区与阳极金属形成欧姆接触，使得具有比肖特基势垒更低的势垒高度，有利于降低其在正向导通时的压降。

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

本发明涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种累积型MOS沟道二极管结构，包括阴极金属、阳极金属、N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅组，所述N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅设置在阴极金属与阳极金属之间，所述N型衬底一端与阴极金属接触，另一端与N型外延层的一端接触，N型外延层的另一端部分与P区接触，N型源区设置在阳极金属、P区及槽栅组之间并分别与部分阳极金属、部分P区及部分槽栅组接触，部分所述槽栅组及部分P区分别与部分阳极金属接触。本发明的累积型MOS沟道二极管结构通过P区、N型源区与阳极金属形成欧姆接触，使得具有比肖特基势垒更低的势垒高度，有利于降低其在正向导通时的压降。

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压高等问题.本文将ITO薄层作为石墨烯透明电极与p-GaN间的插入层,以改善石墨烯与p-GaN层的欧姆接触.所制备的石墨烯透明电极的方块电阻为252.6 Ω/口,石墨烯/ITO复合透明电极的方块电阻为70.1 Ω/口;石墨烯透明电极与p-GaN层的比接触电阻率为1.92×10-2 Ω·cm2,ITO插入之后,其比接触电阻率降低为1.01×104 Ω·cm2;基于石墨烯透明电极的发光二极管(light emittingdiode,LED),在20 mA注入电流下,正向电压为4.84V,而石墨烯/ITO复合透明电极LED正向电压降低至2.80 V,且光输出功率得到提高.这归因于石墨烯/ITO复合透明电极与p-GaN界面处势垒高度的降低,进而改善了欧姆接触;另外,方块电阻的降低,使得电流扩展均匀性也得到了提高.所采用的复合透明电极减少了ITO的用量,得到了良好的欧姆接触,为LED透明电极提供了一种可行方案.

Keyword ：

比接触电阻率 石墨烯 透明电极 铟锑氧化物

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

石墨烯具有优异的光学和电学性质,同时其与其它二维材料形成的异质结在改善接触,能带调控等方面展现出了应用前景.然而,该类异质结结构中能带特性一直缺乏直接的研究分析,本文中以Graphene/MoS2异质结为研究对象,通过开尔文探针力显微镜原位分析了其能带结构.结果发现:在二维Graphene/MoS2异质结中,石墨烯的功函数比硫化钼的功函数小,Graphene/MoS2异质结具有有利于接触的能带结构,可以解释在类似的二维材料异质结电输运实验中,观察到较低的肖特基势垒;退火后,Graphene/MoS2异质结之间的肖特基势垒高度进一步减小.本课题组的研究显示出石墨烯在改善二维材料相关器件电学性能方面有很大的潜力.

Keyword ：

二维材料 石墨烯 能带 异质结 硫化钼

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.

Keyword ：

陷阱填充 铁电阻变存储器 空间电荷限制电流 阻变效应

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

针对脉冲激光沉积法制备的铁酸铋薄膜展开研究,利用电流–电压(I–V)特性曲线表征样品的阻变现象,对样品施加不同极性、大小的电压,其I–V曲线呈现出不同高低阻值的变化。通过对I–V曲线拟合,发现样品的导电机制符合空间电荷限制电流。结合正向电压下从高阻到低阻的转变,负向电压下从低阻到高阻的转变规律,验证样品的阻变效应符合陷阱能级的填充和脱陷,即陷阱能级的填充程度不同导致电极与铁酸铋界面势垒高度不同从而导致薄膜阻值的变化。

Keyword ：

导电机制 空间电荷限制电流 阻变效应 陷阱填充与脱陷

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

针对脉冲激光沉积法制备的铁酸铋薄膜展开研究,利用电流-电压(I-V)特性曲线表征样品的阻变现象,对样品施加不同极性、大小的电压,其I-V曲线呈现出不同高低阻值的变化.通过对I-V曲线拟合,发现样品的导电机制符合空间电荷限制电流.结合正向电压下从高阻到低阻的转变,负向电压下从低阻到高阻的转变规律,验证样品的阻变效应符合陷阱能级的填充和脱陷,即陷阱能级的填充程度不同导致电极与铁酸铋界面势垒高度不同从而导致薄膜阻值的变化.

Keyword ：

阻变效应 导电机制 空间电荷限制电流 陷阱填充与脱陷

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。