摘要 ：

为了降低低压场终止型IGBT的工艺难度并改善其关断特性,对注氢场终止型IGBT(PFS-IGBT)的缓冲层进行了研究,引入了传统场终止型IGBT(FS-IGBT)和线性缓变掺杂场终止型IGBT(LFS-IGBT)来与PFS-IGBT作对比。PFS-IGBT的缓冲层通过多次注氢形成,从背面到内部的掺杂浓度依次降低,具有多个浓度峰值,厚度为2030μm。FS-IGBT的缓冲层掺杂浓度较高,厚度为5μm。LFS-IGBT的缓冲层从背面到内部的掺杂浓度呈线性降低,其厚度为2030μm。采用Sentaurus TCAD对三种具有不同缓冲层结构的IGBT(600V/40A)的特性进行了分析。结果表明,PF...

关键词 ：

场终止 开关特性 注氢 短路坚固性 绝缘栅双极型晶体管

引用：

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摘要 ：

为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管(GFS-IGBT)的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20~30μm,峰值掺杂浓度为3.5×1015cm-3的缓变场终止层。采用Sentaurus TCAD仿真软件,对600 V/20 A的FS-IGBT与GFS-IGBT和非穿通型IGBT(NPT-IGBT)在导通、开关和短路特性等方面进行了对比仿真。结果表明,在给定的参数范围内,GFS-IGBT具有更低的通态压降、良好的关断电压波形以及更小的关断能耗。最后介绍了一...

关键词 ：

关断损耗 场终止结构 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 缓变掺杂 通态压降

引用：

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摘要 ：

本文提出了一种新型场终止IGBT结构——线性掺杂场终止型IGBT(Line Doping Field Stop-LDFS)。与传统FS-IGBT的突变掺杂的场终止结构不同，本文提出的LDFS-IGBT具有20-30μm宽,峰值浓度为3.5e15的缓变线性掺杂场终止层。采用仿真工具ISE-TCAD,对600V20A的FS-IGBT与LDFS-IGBT的导通特性、开关特性进行仿真研究。结果表明LDFS-IGBT具有更低的的通态压降,同时保证良好的关断电压波形以及关断损耗.最后文章提出了一种实现缓变线性掺杂场终止结构的制造新技术。

关键词 ：

绝缘栅双极型晶体管 线性浓度缓冲层 仿真特性

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摘要 ：

利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53 Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响.本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高.

关键词 ：

变掺杂 MOCVD InGaAs InP

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摘要 ：

电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一,该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150 V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区(分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区)电荷匹配问题进行了仿真优化研究,结果表明:N1区和N2区浓度分别约为2.2×1016cm-3和4.5×101 5cm-3时,电场分布更加均匀、耐压更高,且比导通电阻仅为1.306 mΩ·cm2,即击穿电压和比导通电阻间达到最佳匹配。同时,还针对器件不同槽深进行了静态特性和动态特性的整体仿真优化研究,结果表明:槽深在7~9μm时,器件满足耐压要求且击穿电压随双漂移区掺杂浓度匹配程度变化较为...

关键词 ：

变掺杂 场板 低栅漏电容 电荷耦合 金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)

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摘要 ：

动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性.结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优.为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用p+/p阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区.仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解.

关键词 ：

动态雪崩 快恢复二极管 电流丝 终端结构

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摘要 ：

本文在分析了单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,首先研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。之后仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可以提高器件负阻转折临界电流,高掺杂缓冲层可以改善器件二次击穿电,据此提出变掺杂缓冲层结构,仿真了其准静态击穿特性,并与单缓冲层和三缓冲层结构进行了比较,结果显示,变掺杂缓冲层结构是各种缓冲层结构中最优的一种。具体优化结果与缓冲厚度和浓度分布有关。优化缓冲层厚度和掺杂浓度,可在导通特性和抗SEB之间达到最佳折衷。

关键词 ：

功率MOSFET 单粒子烧毁 变缓冲层技术

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摘要 ：

本发明公开了一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法，0＜X≤1，属于高温超导材料制备技术领域。Y1-xYbxBCO高温超导薄膜的厚度约为200nm，制备方法为：先制备Y1-xYbxBCO的前驱液，将前驱溶液涂到单晶基底上，然后在低于400℃的湿氧气中预烧得到前驱非晶膜，之后将前驱非晶膜于800-850℃下烧结1-4小时，其中前3/4的时间段内通入湿Ar/O2混合气，后1/4时间段内，通入干Ar/O2混合气；本发明方法设备简单，成本低，无需真空，沉积速度快，最重要的是薄膜成分容易控制，并可以随意改变掺杂物及其配比，更适合开发实用化的高温超导长带。

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本发明公开了一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法，0＜X≤1，属于高温超导材料制备技术领域。Y1-xYbxBCO高温超导薄膜的厚度约为200nm，制备方法为：先制备Y1-xYbxBCO的前驱液，将前驱溶液涂到单晶基底上，然后在低于400℃的湿氧气中预烧得到前驱非晶膜，之后将前驱非晶膜于800-850℃下烧结1-4小时，其中前3/4的时间段内通入湿Ar/O2混合气，后1/4时间段内，通入干Ar/O2混合气；本发明方法设备简单，成本低，无需真空，沉积速度快，最重要的是薄膜成分容易控制，并可以随意改变掺杂物及其配比，更适合开发实用化的高温超导长带。

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摘要 ：

综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展.介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明.

关键词 ：

结终端 击穿电压 功率器件

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