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Abstract ：
自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法属于半导体材料领域。首先将溶胶凝胶法合成的[Ca24(Al1‑xMx)28O64]4+(O2‑)2利用放电等离子烧结设备烧结，烧结条件为：温度900～1200℃，真空度不高于8Pa，压力30MPa，反应时间5‑15min；将烧结棒材超声清洗、干燥后，置于光学区熔炉设备中作为生长进料棒，以沿(001)晶面生长的单晶金属钛棒作为籽晶下料棒，生长参数：8％(1080w)≤p≤20％(2400w)，生长速度 : 3mm/h≤s≤10mm/h。真空度1×10‑5torr，氩气流速0.3L/min，气体压强0.5Mpa，上料棒与籽晶棒转速30rpm/min。该制备方法提高了制备效率，所得单晶纯度高、导电性好且成本低，电子浓度可达到理论最大值，可进行大尺寸定向生长。
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| GB/T 7714 | 张忻 , 韩尚儒 , 刘楠 et al. 自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法 : CN202310382481.6[P]. | 2023-04-11 . |
| MLA | 张忻 et al. "自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法" : CN202310382481.6. | 2023-04-11 . |
| APA | 张忻 , 韩尚儒 , 刘楠 , 王守用 . 自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法 : CN202310382481.6. | 2023-04-11 . |
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Abstract ：
一种预测二氧化碳电还原铜合金催化剂的方法属于二氧化碳电化学还原领域，通过应用密度泛函理论计算和机器学习，克服了效率低和选择性差的难题。本方法通过优化不同种类CuM合金的表面结构，应用密度泛函理论计算CO2还原反应的关键中间体(CO、HCOO、COOH、H)在各个表面的吸附能。为了降低特征的空间维度，选择5个材料的特征参数，包括功函数(W)、原子序数(AN)、晶面间距(d)、电负性(EN)和局部电负性(χi)，通过机器学习训练，得到预测性能良好的梯度提升回归(GBR)模型，训练结果与包含13个特征的模型的预测性能接近。本方法不仅快速预测二氧化碳电还原铜合金催化剂，而且为设计其他催化剂提供了思路。
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| GB/T 7714 | 孙少瑞 , 行妙娟 , 王亚鑫 et al. 一种预测二氧化碳电还原铜合金催化剂的方法 : CN202210234812.7[P]. | 2022-02-18 . |
| MLA | 孙少瑞 et al. "一种预测二氧化碳电还原铜合金催化剂的方法" : CN202210234812.7. | 2022-02-18 . |
| APA | 孙少瑞 , 行妙娟 , 王亚鑫 , 王慧敏 , 方照临 , 孟孔 . 一种预测二氧化碳电还原铜合金催化剂的方法 : CN202210234812.7. | 2022-02-18 . |
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Abstract ：
二元单晶稀土六硼化物(REB6)具有丰富的物理性质,其中单晶LaB6具有优异的电子发射特性,影响二元REB6发射性能的物理机理及其他二元REB6是否具有良好的发射特性,需要进一步研究.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对典型二元单晶REB6(RE=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd)的电子结构、功函数进行了理论分析,并对区熔法制备的高质量单晶REB6的热发射性能进行了测试.电子结构计算结果表明,二元REB6费米能级附近具有很高的态密度,宽域分布的稀土元素的d电子决定了REB6优异发射性能的电子态,局域分布的f轨道对发射性能不利.功函数理论计算表明具有d态价电子的二元REB6(RE=La,Ce,Gd)具有较低功函数.热发射测试结果表明,以上单晶REB6(100)晶面功函数热发射测试值与理论计算值基本相符.最终理论计算结合实验结果表明,LaB6和CeB6具有良好的热发射和场发射性能,GdB6具有良好的场发射性能.
Keyword ：
第一性原理 单晶REB6 热发射性能 功函数
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| GB/T 7714 | 刘洪亮 , 郭志迎 , 袁晓峰 et al. 典型二元单晶REB6的电子结构和发射性能 [J]. | 物理学报 , 2022 , 71 (9) : 349-355 . |
| MLA | 刘洪亮 et al. "典型二元单晶REB6的电子结构和发射性能" . | 物理学报 71 . 9 (2022) : 349-355 . |
| APA | 刘洪亮 , 郭志迎 , 袁晓峰 , 高倩倩 , 段欣雨 , 张忻 et al. 典型二元单晶REB6的电子结构和发射性能 . | 物理学报 , 2022 , 71 (9) , 349-355 . |
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Abstract ：
本文在密切关注新兴增材制造技术所产生的微观结构组织特征的同时,具体选取一种3D打印Ti-6Al-4V合金,分析其中的伯氏取向差结构.利用扫描电镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD)和统计性的五参数法,首先标定了合金结构中大量存在的α/α晶界,其次统计了α/α晶界的惯习面分布状况,之后对5种伯氏取向差分别进行了晶面取向织构分析,最后对5种伯氏取向差进行了晶界面理论结构计算.本文提出了α/α晶界识别判据并继而实现了在α/α晶界上进行伯氏取向差的准确表征,因而从具体观测技术层面发展了特定晶界的提取技术和典型取向差的结构分析技术.
Keyword ：
观测技术 伯氏取向差 电子背散射衍射 扫描电子显微镜 3D打印钛合金
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| GB/T 7714 | 原效坤 , 张跃飞 , 吉元 et al. 3D打印钛合金晶界中的伯氏取向差观测方法 [J]. | 电子显微学报 , 2022 , 41 (1) : 32-39 . |
| MLA | 原效坤 et al. "3D打印钛合金晶界中的伯氏取向差观测方法" . | 电子显微学报 41 . 1 (2022) : 32-39 . |
| APA | 原效坤 , 张跃飞 , 吉元 , 魏崇斌 . 3D打印钛合金晶界中的伯氏取向差观测方法 . | 电子显微学报 , 2022 , 41 (1) , 32-39 . |
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Abstract ：
以固溶态Mg-8Gd-1Er-0.5Zr (质量分数,%)合金为对象,研究了在高应变速率多向锻造过程中合金微观组织及织构的演变规律,并探讨了高应变速率多向锻造对合金力学性能的影响机制。结果表明,变形初期,合金晶粒内部的大部分{10■2}拉伸孪晶被激发,随着累积应变(ΣΔε)的增加,孪晶面积分数降低,再结晶面积分数增高,再结晶机制以连续动态再结晶为主,同时伴有不连续动态再结晶和孪生诱导再结晶。合金晶粒细化分为2个阶段:当ΣΔε<1.32时,为孪晶破碎机制,晶粒尺寸由初始态的33.0μm细化至13.1μm;当ΣΔε≥1.32时,为动态再结晶细化机制,晶粒尺寸进一步细化至4.2μm。合金织构随ΣΔε...
Keyword ：
Mg-Gd-Er-Zr合金 力学性能 多向锻造 孪生 晶粒细化 织构
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| GB/T 7714 | 丁宁 , 王云峰 , 刘轲 et al. 高应变速率多向锻造Mg-8Gd-1Er-0.5Zr合金的微观组织、织构及力学性能 [J]. | 金属学报 , 2021 , 57 (08) : 1000-1008 . |
| MLA | 丁宁 et al. "高应变速率多向锻造Mg-8Gd-1Er-0.5Zr合金的微观组织、织构及力学性能" . | 金属学报 57 . 08 (2021) : 1000-1008 . |
| APA | 丁宁 , 王云峰 , 刘轲 , 朱训明 , 李淑波 , 杜文博 . 高应变速率多向锻造Mg-8Gd-1Er-0.5Zr合金的微观组织、织构及力学性能 . | 金属学报 , 2021 , 57 (08) , 1000-1008 . |
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Abstract ：
电动汽车续航里程的提升主要依赖于锂离子电池的能量密度,其中发展高容量的正极材料成为关键.富锂锰基层状氧化物(LLOs)和高镍三元层状氧化物(NCM,Ni≥80％)等高容量正极材料成为了研究热点,其前体的开发对正极材料电化学性能的发挥有重要的影响.本文从工业化的角度对共沉淀法制备LLOs和NCM正极材料前体的反应过程和影响因素进行了介绍,分析了球形团聚体、单晶和浓度梯度等正极材料的结构和性能,并详细阐述了正极材料中晶面取向调控、掺杂及表界面处理等改性策略的原理及优缺点.文章指出,综合来看单晶材料表现出较好的循环稳定性和热稳定性,但倍率性能有待进一步提升.浓度梯度正极材料不仅保持了高容量特性,还兼顾良好的结构稳定性和热稳定性,有望突破高容量正极材料进一步发展的技术瓶颈.最后,基于本文作者课题组在高容量正极材料方面的研究,对正极材料的未来发展趋势给出了一些建议.
Keyword ：
前体 共沉淀 高容量正极材料 锂离子电池
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| GB/T 7714 | 王策 , 王国庆 , 王二锐 et al. 锂离子电池正极材料合成及改性 [J]. | 化工进展 , 2021 , 40 (9) : 4998-5011 . |
| MLA | 王策 et al. "锂离子电池正极材料合成及改性" . | 化工进展 40 . 9 (2021) : 4998-5011 . |
| APA | 王策 , 王国庆 , 王二锐 , 吴天昊 , 尉海军 . 锂离子电池正极材料合成及改性 . | 化工进展 , 2021 , 40 (9) , 4998-5011 . |
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Abstract ：
一种MgO及掺杂MgO薄膜材料次级电子发射性能的预测方法，属于材料性能预测技术领域。基于第一性原理的密度泛函理论，通过计算MgO不同晶面取向和不同浓度的掺杂对体系表面能、功函数、禁带宽度以及电导率的影响来预测材料的次级电子性能。第一性原理计算表明，MgO的(111)晶面具有最大的表面能，最小的功函数，可预测具有(111)晶面取向或(111)晶面占优的MgO晶体具有相对较好的次级发射性能；对于掺杂的MgO，计算结果表明掺杂后各晶面的功函数均有所减小，同时随着掺杂浓度的增大，禁带宽度呈线性降低趋势，从而减小电子从价带跃迁到导带的能垒，有利于次级发射性能的提高。
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| GB/T 7714 | 周帆 , 王蕊 , 王金淑 et al. 一种MgO及掺杂MgO薄膜材料次级电子发射性能的预测方法 : CN202110242805.7[P]. | 2021-03-04 . |
| MLA | 周帆 et al. "一种MgO及掺杂MgO薄膜材料次级电子发射性能的预测方法" : CN202110242805.7. | 2021-03-04 . |
| APA | 周帆 , 王蕊 , 王金淑 , 杨韵斐 , 高俊妍 . 一种MgO及掺杂MgO薄膜材料次级电子发射性能的预测方法 : CN202110242805.7. | 2021-03-04 . |
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Abstract ：
SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag3 Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系统中的主要扩散元素及原子运动路径,应用自洽键距差(self-consistent bond length difference,SCBLD)法计算了Ag-Sn系统内参与反应相的价电子结构及可能形成的固溶体的结合能,根据结合能变化趋势从价电子层面描述出Ag3 Sn在焊点内部的形成过程.研究结果表明:Ag-Sn系统中的主要扩散元素为Sn,Sn原子进入Ag晶胞形成固溶体,固溶体内原子重新排布,形成结合能更高、排布更均匀的共价键,造成晶格膨胀,位于(110)晶面和面心位置的Ag原子随之向外扩张,形成了同样具有良好对称性的Ag3 Sn,与前人研究Ag-Sn系统扩散的实验结果相符.
Keyword ：
自洽键距差(SCBLD)法 经验电子理论(EET) 结合能 金属间化合物(IMCs) 扩散 相变
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| GB/T 7714 | 马立民 , 齐楚晗 , 王乙舒 . 基于价电子理论的Ag-Sn金属间化合物形成机理 [J]. | 北京工业大学学报 , 2021 , 47 (6) : 655-662 . |
| MLA | 马立民 et al. "基于价电子理论的Ag-Sn金属间化合物形成机理" . | 北京工业大学学报 47 . 6 (2021) : 655-662 . |
| APA | 马立民 , 齐楚晗 , 王乙舒 . 基于价电子理论的Ag-Sn金属间化合物形成机理 . | 北京工业大学学报 , 2021 , 47 (6) , 655-662 . |
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Abstract ：
以固溶态Mg-8Gd-1Er-0.5Zr(质量分数,％)合金为对象,研究了在高应变速率多向锻造过程中合金微观组织及织构的演变规律,并探讨了高应变速率多向锻造对合金力学性能的影响机制.结果表明,变形初期,合金晶粒内部的大部分{101ˉ2}拉伸孪晶被激发,随着累积应变(ΣΔε)的增加,孪晶面积分数降低,再结晶面积分数增高,再结晶机制以连续动态再结晶为主,同时伴有不连续动态再结晶和孪生诱导再结晶.合金晶粒细化分为2个阶段:当ΣΔε<1.32时,为孪晶破碎机制,晶粒尺寸由初始态的33.0μm细化至13.1μm;当ΣΔε≥1.32时,为动态再结晶细化机制,晶粒尺寸进一步细化至4.2μm.合金织构随ΣΔε增加由基面织构转变为双峰织构,且织构强度增加.ΣΔε=0.66时,多向锻造Mg-8Gd-1Er-0.5Zr合金的抗拉强度、屈服强度和延伸率分别达到295 MPa、252 MPa和13.8％,比固溶态分别提高了80％、157％和13.1％.
Keyword ：
Mg-Gd-Er-Zr合金 力学性能 织构 孪生 多向锻造 晶粒细化
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| GB/T 7714 | 丁宁 , 王云峰 , 刘轲 et al. 高应变速率多向锻造Mg-8Gd-1Er-0.5Zr合金的微观组织、织构及力学性能 [J]. | 金属学报 , 2021 , 57 (8) : 1000-1008 . |
| MLA | 丁宁 et al. "高应变速率多向锻造Mg-8Gd-1Er-0.5Zr合金的微观组织、织构及力学性能" . | 金属学报 57 . 8 (2021) : 1000-1008 . |
| APA | 丁宁 , 王云峰 , 刘轲 , 朱训明 , 李淑波 , 杜文博 . 高应变速率多向锻造Mg-8Gd-1Er-0.5Zr合金的微观组织、织构及力学性能 . | 金属学报 , 2021 , 57 (8) , 1000-1008 . |
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Abstract ：
本发明公开平面型IGBT结构，包括芯片主体，所述芯片主体上设有多个平行分布的P阱，多个P阱间的步距由芯片主体的中心向边缘由小变大取值设置。通过对多个平行分布的P阱间的步距进行设置，使得多个P阱在芯片上的分布由中心向边缘由密变疏，该设置使得芯片中心区域的通态压降略高，周围区域的通态压降低，有效改善了芯片的散热性能及芯片上温度分布不均匀而导致的电流分布不均匀的情况，沟道沿(100)晶面的晶向导电也提高芯片的导电性能。本发明的设计使平面型IGBT具有优异的散热一致性，防止芯片由于温度分布不均，某一点过热而导致烧毁，损毁整个芯片，大大提高芯片的可靠性。
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| GB/T 7714 | 吴郁 , 方明 , 胡冬青 et al. 平面型IGBT结构 : CN202011330868.X[P]. | 2020-11-24 . |
| MLA | 吴郁 et al. "平面型IGBT结构" : CN202011330868.X. | 2020-11-24 . |
| APA | 吴郁 , 方明 , 胡冬青 , 刘广海 , 薛云峰 . 平面型IGBT结构 : CN202011330868.X. | 2020-11-24 . |
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