摘要 ：

一种扩散法制备涂层超导用织构镍基高钨合金基带的方法，属于金属加工技术领域。其包括以下步骤：将表面经过清洁的低W合金基带作为阴极，W合金基带中W≤7at.％，镍板作为阳极进行电镀，以钨酸钠和硫酸镍为主盐，配置溶液，电镀温度为60～80℃，电流密度15～20mA/cm‑2，pH值为4～5，沉积时间为3～5min，将得到的富W层合金基带在Ar/H2混合保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1000～1150℃，保温时间为40～60min。此方法可以有效避免低层错能对获得立方织构的影响，容易制备出W含量≥7at.％的织构NiW合金基带，极大提升Ni‑W合金基带整体的机械性能和降低磁损耗。

引用：

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摘要 ：

采用压延辅助双轴织构技术制备了涂层导体用Ni7W/Ni12W/Ni7W复合基带。复合基带轧制形变过程加入3次不同温度的轧制中间热处理优化其形变组织。采用X射线衍射及背散射电子衍射技术分析了复合基带轧制过程中表面及截面的形变、回复组织,以此探索轧制中间热处理温度对Ni7W/Ni12W/Ni7W复合基带形变及立方织构形成过程的影响机制。结果显示,经600℃/60 min轧制中间热处理后的复合基带在较低的再结晶温度下获得了95%(<10°)的高立方织构。晶体取向分布图表明该中间热处理温度下复合基带回复及初始再结晶组织中立方取向的晶粒含量都更高;不同取向间点对点的晶体取向差分析证实立方取向晶粒有较大的...

关键词 ：

NiW基带 形变组织 立方取向 轧制中间退火 高温超导材料

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摘要 ：

采用压延辅助双轴织构技术制备了涂层导体用Ni7W/Ni12W/Ni7W复合基带。复合基带轧制形变过程加入3次不同温度的轧制中间热处理优化其形变组织。采用X射线衍射及背散射电子衍射技术分析了复合基带轧制过程中表面及截面的形变、回复组织,以此探索轧制中间热处理温度对Ni7W/Ni12W/Ni7W复合基带形变及立方织构形成过程的影响机制。结果显示,经600℃/60 min轧制中间热处理后的复合基带在较低的再结晶温度下获得了95%(〈10°)的高立方织构。晶体取向分布图表明该中间热处理温度下复合基带回复及初始再结晶组织中立方取向的晶粒含量都更高;不同取向间点对点的晶体取向差分析证实立方取向晶粒有较大的晶界角,这使立方取向在回复及初始再结晶过程具有高的界面迁移率,从而促进了后续再结晶过程强立方织构的形成。

关键词 ：

形变组织 立方取向 轧制中间退火 NiW基带 高温超导材料

引用：

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摘要 ：

一种电化学沉积制备涂层导体用高钨合金基带坯锭的方法本发明属于高温超导材料领域。作为第二代高温超导材料涂层导体基底的NiW合金基带，承担着外延织构、承受应力应变等多重功能。但传统工艺毕竟由于其本身的局限性很难将晶粒尺寸进一步降低，因此我们改变坯锭制备工艺，采用电化学沉积的方法制备出纳米晶粒尺寸的初始坯锭，高钨合金基带的形变均匀性与立方织构形成能力将大大改善，进一步推进高钨合金基带在二代高温超导材料涂层导体中的应用。本发明有效地将NiW合金坯锭晶粒尺寸控制在30～80nm。

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摘要 ：

一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法属于金属加工技术领域。清洗Ni5W(W元素的含量＝5at.％)合金基带后，采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100～200nm的纯钨层。将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢或氢气的保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1100～1200℃，保温时间2～3h，随炉冷却，使镀层表面的钨原子以置换固溶体的方式大量扩散至芯层置换晶格中的镍原子，以提高具有立方织构的NiW合金基带的钨含量，以获得具有强立方织构的高钨复合基带。本发明使表层的W原子大量渗入芯层，提高整体钨含量，获得织构高钨合金基带。该方法操作简单，成本较低，可实现性强。

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摘要 ：

一种电化学沉积制备涂层导体用高钨合金基带坯锭的方法本发明属于高温超导材料领域。作为第二代高温超导材料涂层导体基底的NiW合金基带，承担着外延织构、承受应力应变等多重功能。但传统工艺毕竟由于其本身的局限性很难将晶粒尺寸进一步降低，因此我们改变坯锭制备工艺，采用电化学沉积的方法制备出纳米晶粒尺寸的初始坯锭，高钨合金基带的形变均匀性与立方织构形成能力将大大改善，进一步推进高钨合金基带在二代高温超导材料涂层导体中的应用。本发明有效地将NiW合金坯锭晶粒尺寸控制在30～80nm。

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摘要 ：

一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法属于金属加工技术领域。清洗Ni5W(W元素的含量＝5at.％)合金基带后，采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100～200nm的纯钨层。将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢或氢气的保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1100～1200℃，保温时间2～3h，随炉冷却，使镀层表面的钨原子以置换固溶体的方式大量扩散至芯层置换晶格中的镍原子，以提高具有立方织构的NiW合金基带的钨含量，以获得具有强立方织构的高钨复合基带。本发明使表层的W原子大量渗入芯层，提高整体钨含量，获得织构高钨合金基带。该方法操作简单，成本较低，可实现性强。

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摘要 ：

一种扩散法制备涂层超导用织构镍基高钨合金基带的方法，属于金属加工技术领域。其包括以下步骤：将表面经过清洁的低W合金基带作为阴极，W合金基带中W≤7at.％，镍板作为阳极进行电镀，以钨酸钠和硫酸镍为主盐，配置溶液，电镀温度为60～80℃，电流密度15～20mA/cm‑2，pH值为4～5，沉积时间为3～5min，将得到的富W层合金基带在Ar/H2混合保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1000～1150℃，保温时间为40～60min。此方法可以有效避免低层错能对获得立方织构的影响，容易制备出W含量≥7at.％的织构NiW合金基带，极大提升Ni‑W合金基带整体的机械性能和降低磁损耗。

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摘要 ：

采用压延辅助双轴织构基板制备路线成功轧制出长度大于100 m、厚度约为66 μm的Ni-5at％W (Ni5W)合金长带,从中截取10m长带在自制的卷到卷热处理系统中进行再结晶动态退火处理.XRD织构分析显示,整条长带退火前的轧制织构含量平均值为63.8％(≤10a),动态退火长带面内和面外织构的半高宽平均值分别为7.2°和6.1°.EBSD分析发现,基带立方织构含量为98.7％(≤10°),小角晶界含量为87.7％(≤10a).长带轧制过程中变更轧机时增加首道次压下量可以有效改善轧制过程中带材断裂的情况.此工艺可以制备出符合YBCO超导层需求的、具有高立方织构含量和均匀性的Ni5W合金长带.

关键词 ：

Ni-W合金基带 立方织构 压延辅助双轴织构基板 卷到卷

引用：

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摘要 ：

采用光学显微镜(OM)、X射线四环衍射(XRD)、电子背散射衍射(EBSD)技术分析研究了形变细化晶粒、润滑轧制对Ni-9.3 at％W (Ni9.3W)合金基带立方织构形成的影响.结果表明,采用形变细化晶粒的方法能有效提高Ni9.3W合金基带的立方织构含量,并且随着初始形变量的增加,晶粒细化程度增大,立方织构含量增高,采用优化的形变细化晶粒工艺使得Ni9.3W合金基带立方织构含量提高了9.8％.另外,增加形变细化晶粒后的轧制总变形量,立方织构含量进一步提升了24.7％.相比非润滑轧制而言,采用润滑轧制,轧制织构中获得了较多的S取向与Copper取向,经再结晶退火后,润滑轧制基带的立方织构含量比非润滑轧制基带的立方织构含量高9.6％,达到了86.7％(＜15°),而且孪晶界数量、小角度晶界含量均要优于非润滑轧制,说明润滑轧制对立方织构形成有着积极的影响.

关键词 ：

Ni9.3W 润滑轧制 立方织构 细化晶粒 轧制织构

引用：

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