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崔碧峰 (崔碧峰.) | 程瑾 (程瑾.) | 郝帅 (郝帅.) | 李彩芳 (李彩芳.) | 王豪杰 (王豪杰.)

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摘要:

采用离子辅助电子束蒸发方法,通过改变制备Al2O3增透膜时基底的温度,在边发射半导体激光器前腔面上分别制备了张应力和压应力增透膜。比较了张应力、压应力两种不同增透膜对半导体激光器性能的影响。结果表明:在10A注入电流下,当半导体激光器的增透膜为张应力状态时,输出功率为8.11W;当半导体激光器的增透膜为压应力状态时,输出功率为7.74W。可见,在半导体激光器前腔面制备张应力增透膜有效地提高了半导体激光器的斜率效率。

关键词:

半导体激光器 斜率效率 薄膜应力

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室

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来源 :

半导体光电

年份: 2020

期: 01

卷: 41

页码: 77-79,84

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