目前GaN已成为制作发光二极管(light　emitting　diode,　LED)的主流材料,GaN基LED在照明和超越照明应用中占有不可替代的重要地位。随着LED外延和芯片技术的提升,LED的能效也得到了快速的提升。本文介绍了影响LED光源能效的因素;叙述了影响LED能效的内量子效率(internal　quantum　efficiency,　IQE)和外量子效率(external　quantum　efficiency,　EQE)的提升技术,阐述了GaN基LED能效的提升进程,最后对LED能效的未来发展进行了总结与展望。