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朱彦旭 (朱彦旭.) | 杨壮 (杨壮.) | 宋会会 (宋会会.) | 李赉龙 (李赉龙.) | 杨忠 (杨忠.) | 李锜轩 (李锜轩.) | 胡铁凡 (胡铁凡.)

收录：

CSCD

摘要：

利用GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅控特性和锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的光伏效应,在HEMT器件的栅极处沉积一层PZT铁电薄膜,提出了一种新型的(光敏感层/HEMT)探测结构.为制备出光伏性能优异的薄膜,对不同的溅射功率和退火温度制备的PZT铁电薄膜进行表面形貌和铁电性能分析.发现200　W溅射功率、700℃的退火温度制备的薄膜表面晶粒生长明显,剩余极化强度为38.0μC·cm-2.工艺制备GaN基HEMT器件并把PZT薄膜沉积到器件栅极上.在无光和365nm紫外光照射下对有、无铁电薄膜的HEMT探测器的输出特性进行测试.结果显示,在光照时,有铁电薄膜的HEMT器件相较于无光时,源-漏...

关键词：

铁电薄膜 光学探测器 光伏效应 光刻 量子光学 紫外线源 氮化镓

作者机构：

  • [ 1 ] 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室

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来源 ：

光子学报

年份： 2020

期： 06

卷： 49

页码： 40-49

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