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杨孟骐 (杨孟骐.) | 姬宇航 (姬宇航.) | 梁琦 (梁琦.) | 王长昊 (王长昊.) | 张跃飞 (张跃飞.) (学者：张跃飞) | 张铭 (张铭.) | 王波 (王波.) (学者：王波) | 王如志 (王如志.) (学者：王如志)

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摘要：

作为最重要的第三代半导体材料之一,纳米氮化镓(Ga　N)也引起了人们的广泛关注与重视.本文采用微波等离子体化学气相沉积(microwave　plasma　chemical　vapor　deposition,　MPCVD)系统,成功地制备出了四方截面的Ga　N纳米线,其纳米线半径为300—500　nm,长度为15—20μm.研究发现,通过调控掺杂Mg的比例,可以实现其截面结构从三方向四方转变.通过进一步地研究Mg掺杂调控其截面结构的物理机制,提出其三方-四方截面结构的转变应该来源于其纳米线的气-液-固(VLS)生长向自催化气-固(VS)生长模式的转变.对所制备的纳米线进行了光致发光(photol...

关键词：

场发射 四方结构纳米线 氮化镓(GaN) Mg掺杂

作者机构：

  • [ 1 ] 北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室
  • [ 2 ] 北京航空航天大学物理学院
  • [ 3 ] 北京工业大学固体微结构与性能研究固体微结构与性能北京市重点实验室

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来源 ：

物理学报

年份： 2020

期： 16

卷： 69

页码： 268-276

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