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收录：

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摘要：

电压调控磁各向异性磁隧道结(voltage　controlled　magnetic　anisotropy　magnetic　tunnel　junction,　VCMA-MTJ)作为磁随机存储器(magnetic　random　access　memory,　MRAM)的核心器件,具有读写速度快、功耗低、与CMOS工艺相兼容等优点,现已得到国内外学者的广泛关注.然而随着VCMA-MTJ尺寸不断缩小、MRAM存储容量不断增大,工艺偏差对MTJ性能的影响变得越来越显著,甚至会引起VCMA-MTJ电路的读写错误.本文在充分考虑磁控溅射薄膜生长工艺中自由层厚度偏差(γ_(tf))、氧化势垒层厚度偏差(γ_...

关键词：

工艺偏差 电压调控磁各向异性 磁隧道结 读写电路

作者机构：

  • [ 1 ] 北京工业大学信息学部
  • [ 2 ] 北京航空航天大学微电子学院

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来源 ：

物理学报

年份： 2020

期： 19

卷： 69

页码： 354-364

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