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潘志伟 (潘志伟.) | 邓金祥 (邓金祥.) (学者：邓金祥) | 张浩 (张浩.) | 白志英 (白志英.) | 李瑞东 (李瑞东.) | 王贵生 (王贵生.) | 段苹 (段苹.) | 王吉有 (王吉有.)

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摘要：

研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS_2/C_(60)范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS_2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS_2薄膜上沉积C_(60)进而形成MoS_2/C_(60)范德华异质结,并制备了Au/MoS_2/C_(60)/Al结构的器件。对MoS_2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS_2,C_(60)及MoS_2/C_(60)薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。结果表明:经过750℃退火后的MoS_2晶型为2H型;由于在MoS_2和C_(60)薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO_2衬底上,沉积在MoS_2上的C...

关键词：

C60 MoS2 导电模型 异质结 薄膜

作者机构：

  • [ 1 ] 北京工业大学应用数理学院

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来源 ：

半导体技术

年份： 2019

期： 01

卷： 44

页码： 20-26

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