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采用密度泛函理论计算分析的方法系统研究了Al掺杂TiO_2基晶体材料的电子结构和光学性质.结果表明,本征Ti02材料具有直接带隙型能带,其带隙宽度为2.438 eV,Al掺杂TiO_2材料同样具有直接带隙型能带,其带隙宽度降低至2.329 eV.本征TiO_2与Al掺杂的TiO_2材料均含有五个子能带,但是Al掺杂TiO_2材料子能带位置发生改变.Al掺杂在Ti02材料价带中引入大量新的能级,降低了费米能级上的态密度,Al掺杂为n型掺杂.对于Al掺杂TiO_2材料来说,s态电子和p态电子主要在Al掺杂TiO_2材料的带内跃迁过程起较大的作用.Al掺杂的TiO_2材料最强的介电吸收峰在320 n...
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