利用经典分子动力学方法,通过对单层MoS2力学行为进行单轴拉伸仿真模拟,研究空位缺陷对结构力学性能的影响.结合第一性原理计算,初步探索了单层MoS2的宏观力学行为与其微观电子结构变化的关联影响.模拟结果表明:空位缺陷使单层MoS2的力学性能严重劣化,且其影响程度随空位缺陷类型的不同而存在差异,与VS相比,VS2对上述力学性能的影响更为显著,浓度为0.4％的VS及VS2缺陷可使MoS2断裂极限下降10％和23％,且降幅随缺陷浓度的增加而增加.此外,单轴拉伸与VS、VS2等空位缺陷的存在,均可显著降低单层MoS2的禁带宽度,这可能与拉伸和空位缺陷均能引起Mo-d和S-p轨道杂化强度与Mo-S键键强的减弱有关.