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[期刊论文]
IGBT过流关断主结边缘烧毁失效机理研究
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针对4 500 V IGBT在过流关断过程中主结边缘烧毁失效的问题,设计了3种不同场板连接结构.为了分析失效机理,采用Sentaurus TCAD工具对IGBT的过流关断过程进行仿真,重点研究了主结边缘附近3种场板结构对过流关断的影响.结果 表明,IGBT电阻区边缘场板结构参数是影响坚固性的重要因素,在一定程度上减小场板连接的倾斜角,可减弱主结附近电场强度,避免过流关断过程中器件在该处发生烧毁,提升了器件的动态坚固性.
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来源 ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
年份： 2019
期： 4
卷： 49
页码： 578-582
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