GaN　epilayers　have　been　grown　on　Si(111)　substrates　with　various　high　temperature　AlN　buffer　layers　by　metal-organic　chemical　vapor　deposition　(MOCVD).　It　is　found　that,　the　surface　morphology　and　structural　and　optical　properties　of　the　GaN　epilayer　strongly　depends　on　the　TMAl　source　flow　rate.　The　properties　of　GaN　films　were　characterized　by　X-ray　diffraction,　atomic　force　microscopy,　Raman,　photoluminescence　and　cathodoluminescence　measurements.　With　the　optimized　TMAl　source　flow　rate,　we　were　able　to　obtain　a　1-mu　m-thick　crack-free　GaN　layer.　The　(0002)　and　(10　(1)　over　bar2)　XRD　FWHM　of　the　GaN　film　are　547　and　563　arcsec　respectively,　the　tensile　stress　calculated　from　the　Raman　spectra　is　0.4　GPa,　and　RMS　roughness　of　AFM　5　mu　m　x　5　mu　m　scan　is　0.539　nm.　(C)　2016　Published　by　Elsevier　B.V.