在超软赝势密度泛函理论基础上计算分析了TiO2基(100)晶面低维材料的形成、电子结构和光学性质.结果表明,TiO2基(100)晶面低维材料的形成焓大于TiO2块体材料的形成焓,其稳定性比TiO2块体材料低.TiO2基(100)晶面低维材料带隙为2.760　eV,高于其体材料,其带隙为间接型.其价带顶和导带底主要分别由O　p电子和Ti　d电子形成,并且Ti的d电子和O的p电子在-2.5　eV处有局域作用.TiO2基(100)晶面低维材料电子局域化程度增大,Ti和O之间的离子性结合程度增强.TiO2基(100)晶面低维材料在140.8　nm处有最强的反射峰,其反射系数达23.9％,其在34.5　nm处有强的选择性吸收,并且在33.3　nm和138.9　nm处有最强的能量损失.