利用溶剂热法合成SnSe及10%Cu掺杂的SnSe,通过XRD、SEM、TEM等显微学技术对其进行形貌及结构表征分析。利用聚焦离子束技术(FIB)选取、制备多根未掺杂及10%Cu掺杂、取向为[001]的SnSe单晶微米线,结合纳米操控与电学测试系统对这些SnSe微米线进行了电学输运性能的测试研究。结果表明10%Cu掺杂的SnSe微米线较其未掺杂的微米线电导率提升了3.1倍,其平均电导率分别为156.17　S·m~(-1)和38.02　S·m~(-1)。同时,也对它们进行了应变加载下的电学输运特性的研究,发现随着压应变的增大,微米线电导率提升,应变在1%左右时,其电导率提升了大约30%。掺杂引起...